現(xiàn)在，14nm新工藝的Broadwell-EP Xeon E5-2600 v4系列處理器全新發(fā)布了，最大亮點(diǎn)就是核心數(shù)量猛增至22個(gè)(44線程)，而且下一代Skylake-EP還會進(jìn)一步增加到28個(gè)(56線程)。

在領(lǐng)略了18核心E5-2697 v4的威力之后，我們再來瞻仰一下頂級22核心E5-2699 v4的狂暴表現(xiàn)吧，同時(shí)還有18核心的Xeon E5-2697 v4。

神一般的Xeon E5-2699 v4

上邊是E5 v4，下邊是E5 v3：不太一樣，但都是LGA2011-3封裝

兩代變化

E5 v4型號、價(jià)格表

本次測試主要采用兩臺2U架機(jī)，分別是Intel S2600WT、SuperMicro 6027R-73DARF，具體配置如下：

注：Xeon E5-2600四代產(chǎn)品分別基于32nm Sandy Bridge-EP、22nm Ivy Bridge-EP、22nm Haswell-EP、14nm Broadwell-EP。

BIOS界面

【單核心性能】

本次測試使用SPEC CPU2006，可以很好地評估單個(gè)核心的性能，涉及不同整數(shù)負(fù)載。

測試中還特別加入了AMD Opera 6376，不過因?yàn)槠浼軜?gòu)很特殊，測試使用其一個(gè)模塊/兩個(gè)核心。

以第一代Sandy Bridge-EP E5-2690為基準(zhǔn)，后邊基帶的性能怎么反而有很多降低了？單核心性能嘛，E5-2690的頻率達(dá)2.9GHz，E5-2697 v2降低到了2.7GHz，最近兩代高端型號更是只有2.2GHz左右。

頻率降低這么多(大約25％)，性能還可以維持在90％左右的水平，部分還能領(lǐng)先，可見單核心性能是有了大幅度提升的，也就是來自架構(gòu)改進(jìn)。

如果將編譯器設(shè)置改為-Ofast，E5-2699 v4的絕對性能驟然提升了超過19％，結(jié)果在頻率低很多的情況下，反而還能領(lǐng)先E5-2690 3％。

這是Intel宣傳的最近九代處理器的單核心/架構(gòu)性能變化，可以看出確實(shí)是隔代大提升，能達(dá)到10-15％，而在引入新工藝的時(shí)候，性能提升最多也不超過5％，有時(shí)候還根本沒有提升。累積下來，這些年已經(jīng)提升了幾乎20％。

【多線程性能】

估計(jì)不看結(jié)果你也能想象出來，22核心發(fā)威的時(shí)候到了。

LZMA壓縮解壓是有多少核心就可以用到多少核心，E5-2699 v4自然一路狂飆，領(lǐng)先上代18核心的E5-2699 v3 25-28％，更是第一代8核心E5-2690 2.6倍以上。

另外，在頻率低200MHz、同樣18核心的情況下，E5-2695 v4仍可以領(lǐng)先E5-2699 v3 4-9％，可見架構(gòu)之改進(jìn)。

【內(nèi)存帶寬/延遲性能】

E5 v4內(nèi)存支持DDR4-2400，比上的一代的DDR4-2133略有提升。

ICC編譯環(huán)境下帶寬提升了15％，GCC下則基本相同。

隨著三級緩存的不斷增大，延遲也在增加，E5 v4幾乎已經(jīng)是第一代E5的兩倍，不過考慮到三級緩存已經(jīng)增加了幾乎兩倍(55MB VS. 20MB)，還是難能可貴的。

【數(shù)據(jù)庫性能】

同樣有穩(wěn)步提升，18核心都達(dá)到了四年前8核心的兩倍多。

【應(yīng)用開發(fā)性能】

Linux內(nèi)核編譯對多核心支持并不是特別完善，但是E5-2699 v4依然達(dá)到了初代旗艦的2.7倍，E5-2695 v4也超過了E5-2699 v3 9％之多。

【SAP S&D性能】

越來越多的核心、越來越大的三級緩存、越來越好的NUMA一致性，是的E5-2699 v4的性能再次大躍進(jìn)，已是初代8核的三倍多。

【Spark性能】

結(jié)果是每天完成的工作數(shù)量(每次處理300GB網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù))。雖然對雙路的支持不是特別好，但是單顆處理器的性能還是可以充分發(fā)揮出來的。

E5-2699 v4完成任務(wù)只需4個(gè)半小時(shí)，E5-2690則需要耗時(shí)6小時(shí)40分鐘。都是雙路的時(shí)候E5-2699 v4要比E5-2699 v3快大約20分鐘。

【HPC計(jì)算性能】

這代22核心和上代18核心似乎性能差不多，問題主要是在這個(gè)AVX指令集測試中，Broadwell-EP的加速頻率比上代更低。

【NAMD浮點(diǎn)性能】

已經(jīng)是當(dāng)年8核心的2.5倍了。